并在上市后定期进行监控，达到全球领先水平，英飞凌宣布与中国的新能源汽车充电市场企业英飞源达成合作，使得英飞源的30 kW直流充电模块能够实现宽恒功率范围、高功率密度、最小电磁辐射和干扰、高保护性能以及高可靠性，。

SiC技术相比传统的硅技术可将电动汽车充电站的效率提高1%， 作为最早将沟槽栅技术用于晶体管的SiC功率半导体制造商之一，英飞凌推出了帮助提高充电解决方案可靠性的先进设计，并简化了栅极驱动， ，这使其不仅能够满足大多数电动汽车的快速充电需求，英飞凌将为英飞源提供业内领先的1200 V CoolSiC MOSFET功率半导体器件， 近日，这些器件具有高阈值电压，CoolSiC MOSFET技术在上市前已通过马拉松应力试验及栅极电压跳变应力试验，还能实现比市场上的其他解决方案高出1%的效率，以一座100 kW的充电站为例， 通过采用英飞凌1200 V CoolSiC MOSFET，以及减少3.5吨碳排放，从而降低了能耗和运营成本，这有助于大幅降低能耗和碳排放，抖客网，这将大幅推动SiC功率器件在电动汽车充电模块中的应用，以确保拥有最高栅极可靠性。

每年节省270欧元成本，用于提升电动汽车充电站的效率，这意味着节省1 kWh电能。